Samsung NAND Flash 16 Gb u 51 nm tehnologiji

Samsung Electronics je danas objavio da će postati prva kompanija koja će započeti proizvodnju NAND Flash memorije u 51 nm tehnološkom procesu. Kampanija je najavila da će 51 nm proces izrade poboljšati efikasnost za 60% u odnosu na predhodi 60 nm proces izrade.

Nove NAND Flash memorije će posedovati 8 Mb/s za brzinu upisivanja podataka dokće brzina čitanja biti 30 Mb/s. Da bi uporedili brzina čitanja kod NAND Flash memorije iizrađenje u 60 nm procesu iznosi 17 Mb/s dok je brzina upisa 4,4 Mb/s. Prve NAND Flash memorije izrađenje u 51 nm procesu bi trebale da budu kapaciteta 16 Gb.